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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ317 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SJ317 |
2SJ317
5
–5
–4
–3
–2
–1
0
–1
–2
–3
–4
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = –5 V
Pulse test
Ta = –25°C
25°C
75°C
Typical Forward Transfer Characteristics
20
10
5
2
1
0.5
0.2
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
Drain Current I (A)
–2
–5
–10
F
f
V = –5 V
Pulse test
Ta = –25°C
75°C
25°C
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
Drain Current I (A)
–2
–5
–10
D
R
D
Pulse test
V = –2 V
–3 V
–4 V
Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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