參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2655
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59A, MPAK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： 2SD2655
2SD2655
Rev.1, Jun. 2001, page 4 of 6
1
10
1000
Collector Current
IC (mA)
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(MHz)
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
100
200
300
400
0
100
1000
Collector Current IC (mA)
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
1
100
1000
110
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
Collector to Base Voltage
VCB
(V)
Collector
Output
Capacitance
Cob
(pF)
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
100
1000
Collector Current IC (mA)
Collector
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
CE(sat)
(V)
Saturation Voltage vs.
Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
110
DC
Current
Transfer
Ratio
h
FE
10
Base
to
Emitter
Saturation
Voltage
V
BE(sat)
(V)
VBE(sat)
VCE(sat)
IC/IB = 10
Pulse
500
VCE = 2V
Pulse
VCE = 2V
Pulse
f = 1MHz
IE = 0
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PDF描述
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2SD2656T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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