參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2657TL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SD2657TL
2SD2657
Transistors
Rev.B
1/2
Low frequency amplifier
2SD2657
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) : max.350mV
At IC = 1A / IB = 50mA
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
30
6
1.5
500
150
55 to +150
3
1
2
Unit
V
A
mW
1
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2657
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
300
MHz
VCE
=2V, IE=100mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
140
350
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=100mA
Cob
11
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2673TL 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2674TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2702TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2703TL 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2661T100 功能描述:TRANS NPN 12V 2A MPT3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2662T100 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR NPN; 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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