參數(shù)資料
型號： 2SD2673TL
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： 2SD2673TL
2SD2673
Transistors
Rev.D
1/2
Low frequency amplifier
2SD2673
Application
Low frequency amplifier
Features
1) A collector current is large. (3A)
2) VCE(sat) : max. 250mV
At IC = 1.5A / IB = 30mA
External dimensions (Unit : mm)
Each lead has same dimensions
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
TSMT3
0~0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
0.3
~
0.6
(2)
(1)
(3)
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
30
6
3
500
150
55 to +150
6
1
2
Unit
V
A
mW
1
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2673
TL
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
200
MHz
VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
BVCBO
30
V
IC
=10A
BVCEO
30
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=30V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
120
250
mV
IC
=1.5A, IB=30mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=200mA
Cob
40
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2674TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2702TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2703TL 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2716 6 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2675TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2679T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
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2SD2695(F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk
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