參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2655
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SC-59A, MPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： 2SD2655
2SD2655
Rev.1, Jun. 2001, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25 °C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base Voltage
V
CBO
60
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
50
V
Emitter to base voltage
V
EBO
6
V
Collector current
I
C
1
A
Collector peak current
ic(peak)
2
A
Collector power dissipation
P
C
800*
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Note:
*When using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
60
V
I
C = 10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
50
V
I
C = 1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
V
I
E = 10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
100
nA
V
CB = 50 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
100
nA
V
EB = 5 V, IC = 0
DC current transfer ratio
h
FE
200
500
V
CE = 2 V, IC = 0.1 A
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
0.16
0.3
V
I
C = 0.5 A, IB = 0.05 A,
Pulse test
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
0.91
1.2
V
I
C = 0.5 A, IB = 0.05 A,
Pulse test
Gain bandwidth product
f
T
280
MHz
V
CE = 2 V, IC = 0.1 A
Collector output capacitance
Cob
4.2
pF
V
CB = 10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2657TL 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2674TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2702TL 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2656T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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