參數(shù)資料
型號: 2SD2655
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SC-59A, MPAK-3
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商: 2SD2655
2SD2655
Rev.1, Jun. 2001, page 3 of 6
0
50
100
150
200
Collector
Power
Dissipation
Pc
(mW)
Maximum Collector Dissipation Curve
0.6
10
100
1
0
0.8
Base to Emitter Voltage
VBE (V)
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical transfer Characteristics
0.2
0.4
1.0
0
1.2
0.8
2.0
Collector
Current
Ic
(mA)
02
4
6
Collector
Current
I
C
(mA)
Typical Output Characteristics (1)
Ambient Temperature
Ta
(
°C)
Collector to Emitter Voltage
VCE (V)
Collector to Emitter Voltage
VCE (V)
0.4
1.6
8
1200
1000
800
400
200
10
Pulse
IB = 350
A
300 A
250 A
200 A
150 A
100
A
50
A
Typical Output Characteristics (2)
Pulse
IB = 1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
1000
V
= 2V
Pulse
CE
200
100
500
400
300
200
100
When using alumina ceramic board
S = 25 mm x 60 mm, t = 0.7 mm
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PDF描述
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2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2656T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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