參數(shù)資料
型號： 2SD1863
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (80V, 1A)
中文描述： 功率晶體管（80V的，1A）條
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： 2SD1863
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F
Transistors
!
Packaging specifications and h
FE
Package
Taping
Code
2SD1898
Type
T100
1000
h
FE
TL
2500
TP
5000
2000
Bulk
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
2SD1381F
PQR
PQR
QR
R
TV2
2500
Basic ordering unit (pieces)
PQ
h
FE
values are classified as follows :
Item
h
FE
R
180~390
Q
120~270
P
82~180
!
Electrical characteristic curves
0.1
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
C
C
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
1000
100
10
1
Ta=25
C
V
CE
=5V
2
4
0
8
10
6
C
C
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(
V)
Fig.2 Grounded emitter output
characteristics
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
I
B
=0mA
Ta=25
C
0
100
1000
100
0
10
1000
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
Fig.3 DC current gain vs.
collector current
Ta=25
C
V
CE
=3V
1V
0.01
0.1
1.0
2.0
0.2
0.02
0.05
0.5
100
0
10
1000
C
C
V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(
mA)
Fig.4 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
I
C
/I
B
=20/1
Ta=25
C
10/1
1
2
5
10
20
50 100 200 5001000
T
T
EMITTER CURRENT :
I
E
(mA)
Fig.5 Gain bandwidth product vs.
emitter current
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=25
C
V
CE
=5V
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
C
p
E
p
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(
V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
Fig.6 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
100
1000
10
1
Ta=25
C
f=1MHz
I
E
=0A
Ic=0A
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2SD1863TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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