參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1759
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power transistor (40V, 2A)
中文描述： 功率晶體管（40V的2A號(hào)）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： 2SD1759
2SD1759 / 2SD1861
Transistors
Power transistor (40V, 2A)
2SD1759 / 2SD1861
!
Features
1) Darlington connection for high DC current gain.
2) Built-in 4k
resistor between base and emitter.
3) Complements the 2SB1183 / 2SB1239.
!
Equivalent circuit
R
BE
4k
C
B
E
: Collector
: Base
: Emitter
C
B
E
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
40
40
5
2
3
1
1
10
1
2
150
55~
+
150
Unit
V
V(R
BE
=
10k
)
V
A(DC)
A(Pulse)
W
W(T
C
=
25
°
C)
°
C
°
C
2SD1861
2SD1759
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse P
W
=
10ms
2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm
2
or larger.
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SD1759
CPT3
1k~200k
TL
2500
2SD1861
ATV
1k~
TV2
2500
Basic ordering unit (pieces)
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
2
0
1
0
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6
2
(
(
C0.5
0
0.9
(
0
2
0
1.5
5.5
5
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
0.45
1.05
Taping specifications
0.5
(1)
0.65Max.
2.54
(2)
2.54
(3)
6.8
1
1
0
4
2.5
2SD1759
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1861
ROHM : ATV
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
Min.
40
40
5
1000
1000
Typ.
Max.
1
1
1.5
20000
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Conditions
Cob
11
pF
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA , R
BE
=
10k
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
24V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
0.6mA/1.2mA
V
CE
/I
C
=
3V/0.5A
h
FE
2SD1759
2SD1861
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
Output capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1861 Power transistor (40V, 2A)
2SD1861 Epitaxial Planar NPN Silicon Darlington Transistors
2SD1760 Power Transistor 50V, 3A
2SD1864 Power Transistor 50V, 3A
2SD1864P TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1759TL 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN 40V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1760FRATLR 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR 功能描述:HIGH REL TRANS GP BJT NPN 50V 3A TR
2SD1760TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1760TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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