參數(shù)資料
型號： 2SD1760
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor 50V, 3A
中文描述： 功率晶體管50V的3A條
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SD1760
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760 / 2SD1864
!
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.5V (Typ.)
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.
!
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : CPT3
ROHM : ATV
1
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
1.05
0.45
±
0.1
2.54 2.54
0.5
±
0.1
0
4
±
0
1
±
0
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
2SD1760
2SD1864
0.1
+0.2
0.1
+0.2
5
0
2.3±0.2
2.3±0.2
0.65±0.1
0.9
0.75
1.0±0.2
0.55±0.1
9
1
2
1
2.3
0.5±0.1
6.5±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CBO
60
V
V
CEO
50
V
V
EBO
5
V
I
C
3
A (DC)
4.5
15
A (Pulse)
*
1
W (Tc =25
°
C)
*
2
W
Tj
150
°
C
Tstg
55~+150
°
C
2SD1864
2SD1760
1
P
C
*
1 Single pulse, P
W
= 100ms
*
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector power
dissipation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1864 Power Transistor 50V, 3A
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2SD1760TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1760TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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