參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1864Q
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 77K
代理商： 2SD1864Q
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760 / 2SD1864
!
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.5V (Typ.)
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.
!
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : CPT3
ROHM : ATV
1
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
1.05
0.45
±
0.1
2.54 2.54
0.5
±
0.1
0
4
±
0
1
±
0
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
2SD1760
2SD1864
0.1
+0.2
0.1
+0.2
5
0
2.3±0.2
2.3±0.2
0.65±0.1
0.9
0.75
1.0±0.2
0.55±0.1
9
1
2
1
2.3
0.5±0.1
6.5±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CBO
60
V
V
CEO
50
V
V
EBO
5
V
I
C
3
A (DC)
4.5
15
A (Pulse)
*
1
W (Tc =25
°
C)
*
2
W
Tj
150
°
C
Tstg
55~+150
°
C
2SD1864
2SD1760
1
P
C
*
1 Single pulse, P
W
= 100ms
*
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector power
dissipation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1760P TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA
2SD1760Q TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1760R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252
2SD1864R TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
2SD1762 Power Transistor (50V, 3A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1867 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV100V 1.5A 1W ECB
2SD1867TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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