參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD1864R
廠(chǎng)商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 3A條一（c）|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SD1864R
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
Power Transistor (50V, 3A)
2SD1760 / 2SD1864
!
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.5V (Typ.)
(I
C
/I
B
= 2A / 0.2A)
2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243.
!
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : CPT3
ROHM : ATV
1
6.8
±
0.2
2.5
±
0.2
1.05
0.45
±
0.1
2.54 2.54
0.5
±
0.1
0
4
±
0
1
±
0
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
2SD1760
2SD1864
0.1
+0.2
0.1
+0.2
5
0
2.3±0.2
2.3±0.2
0.65±0.1
0.9
0.75
1.0±0.2
0.55±0.1
9
1
2
1
2.3
0.5±0.1
6.5±0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CBO
60
V
V
CEO
50
V
V
EBO
5
V
I
C
3
A (DC)
4.5
15
A (Pulse)
*
1
W (Tc =25
°
C)
*
2
W
Tj
150
°
C
Tstg
55~+150
°
C
2SD1864
2SD1760
1
P
C
*
1 Single pulse, P
W
= 100ms
*
2 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm
2
or larger.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
Collector power
dissipation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1762 Power Transistor (50V, 3A)
2SD1766 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1227M Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1758 Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1862 Medium Power Transistor 32V, 2A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1867 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV100V 1.5A 1W ECB
2SD1867TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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