參數(shù)資料
型號(hào): 2SD1864R
廠商: Rohm CO.,LTD.
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商: 2SD1864R
2SD1760 / 2SD1864
Transistors
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
B
B
(
Fig.7 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
l
C
/l
B
= 10
V
BE (sat)
V
CE (sat)
Ta = -25
°
C
100
°
C
25
°
C
25
°
C
Ta = 100
°
C
-25
°
C
EMITTER CURRENT :
I
E
(mA)
T
T
Fig.8 Gain bandwidth product vs.
emitter current
1
2
5
10 20
50 100 200
5001000
1000
500
200
50
20
100
10
2
5
1
Ta = 25
°
C
V
CE
= 5V
C
(
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
Fig.9 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
100
200
500
1000
10
20
50
2
5
1
Ta = 25
°
C
f = 1MHz
I
E
= 0A
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.10 Safe operating area
(2SD1760)
0.1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
Ta = 25
C
*
Single pulse
P
W
1m*
P
W
10m*
DC
V
CE
=5v
I
C
=0.2A
1
10
1Sec 10Sec100Sec
100
1
0.1
10
100
TIME : T
(ms)
T
t
(
°
C
Fig.11 Transient thermal resistance
(2SD1760)
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
5
2
1
0.1
0.2
0.5
0.02
0.05
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
(
°
C
Ta=25
Sc
Pw10mSc
DC
Fig.12 Safe operating area
(2SD1864)
1
10
100
1
10Sec 100Sec1000Sec
10
1
100
0.1
TIME : T
(ms)
T
t
(
°
C
Fig.13 Transient thermal resistance
(2SD1864)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1762 Power Transistor (50V, 3A)
2SD1766 Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
2SD1227M Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1758 Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1862 Medium Power Transistor 32V, 2A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2SD1867 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR ATV100V 1.5A 1W ECB
2SD1867TV2 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel