型號: | 2SD1760P |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252AA |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 50V五(巴西)總裁| 3A條一(c)|至252AA |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 77K |
代理商: | 2SD1760P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SD1760Q | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
2SD1760R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252 |
2SD1864R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SIP |
2SD1762 | Power Transistor (50V, 3A) |
2SD1766 | Medium Power Transistor(中等功率晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SD1760TL/Q | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD1760TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1760TLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT D-PAK;BCE NPN;DRIVER SMT HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1760TLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD1762 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |