參數(shù)資料
型號： 2SD1863
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (80V, 1A)
中文描述： 功率晶體管（80V的，1A）條
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 89K
代理商： 2SD1863
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F
Transistors
Power Transistor (80V, 1A)
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 /
2SD1381F
!
Features
1) High V
CEO
, V
CEO
=80V
2) High I
C
, I
C
=1A (DC)
3) Good h
FE
linearity
4) Low V
CE
(sat)
5) Complements the 2SB1260 /
2SB1241 / 2SB1181
!
Structure
Epitaxial planer type
NPN silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : TO-126FP
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SD1768S
2SD1381F
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : ATV
2SD1863
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
2SD1733
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2SD1898
Abbreviated symbol : DF
0
2
+
0
0.05
+
0.1
0.1
+
0.2
+
0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4
1
0
3.0±0.2
1.5±0.1
1.5±0.1
0.4±0.1
0.5±0.1
0.4±0.1
0.4
1.5
4.5
1.6±0.1
0.1
+
0.2
+
0
5
0
2.3
±
0.2
2.3
±
0.2
0.65
±
0.1
0.9
0.75
1
±
0
6.5
±
0.2
5.1
C0.5
(3)
(2)
(1)
0
0.1
+
0.2
1.0
±
0.2
0.55
±
0.1
9
±
0
2
1
2.3
0.5
±
0.1
3
(
4±0.2
0.45
5
(1) (2) (3)
+
0.15
0.05
2.5
+
0.4
0.1
3
2±0.2
0.45
0.5
+
0.05
7.8±0.2
Front
φ
3.3
Back
φ
3.19
3.2±0.2
0.8
2.3±0.5
2.3±0.5
0.7±0.1
1.6
0.95
1.75
1
1
1
1
C0.7
(2)(3)
(1)
6
9
1.76±0.5
1
6.8±0.2
2.5±0.2
1.05
0.45±0.1
2.54 2.54
0.5±0.1
0
4
1
(1)
(2)
(3)
0.65Max.
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PDF描述
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2SD1863TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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