參數(shù)資料
型號： 2SD1863
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (80V, 1A)
中文描述： 功率晶體管（80V的，1A）條
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 89K
代理商： 2SD1863
2SD1898 / 2SD1733 / 2SD1768S / 2SD1863 / 2SD1381F
Transistors
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
100
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
1
A (DC)
A (Pulse)
1
2
Junction temperature
Tj
150
C
Storage temperature
1 Pw=20ms, duty=1 / 2
2 Printed circuit board 1.7mm thick, collector copper plating 1cm
2
or larger.
3 When mounted on a 40
×
40
×
0.7mm ceramic board.
Tstg
55
～+
150
C
Collector power
dissipation
P
C
0.5
2
2
1
3
10
0.3
1
1.2
W
W (Tc=25C)
W
W (Tc=25C)
5
2SD1898
2SD1733
2SD1768S
2SD1863
2SD1381F
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
Measured using pulse current
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
100
80
5
180
2SD1863
2SD1733, 2SD1898
2SD1768S
2SD1381F
0.15
100
20
1
1
0.4
390
V
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
500mA/20mA
V
CE
=
10V, I
E
=
50mA, f
=
100MHz
V
CE
=
3V, I
C
=
0.5A
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
V
V
μ
A
μ
A
V
82
390
120
390
82
270
MHz
pF
Typ.
Max.
Unit
Conditions
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD1898 Power Transistor (80V, 1A)
2SD1756 Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管)
2SD1757K Power Transistor (15V, 0.5A)
2SD1759 Power transistor (40V, 2A)
2SD1861 Power transistor (40V, 2A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD1863TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1863TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1864TV2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRIVER NPN 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD1866TV2 功能描述:達林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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