參數(shù)資料
型號： 2SC5980
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
中文描述： 瑞展硅晶體管大電流開關(guān)應用
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SC5980
2SC5980
No.8091-2/4
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typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
fT
VCE=10V, IC=500mA
VCB=10V, f=1MHz
IC=3.5A, IB=175mA
IC=2A, IB=40mA
IC=2A, IB=40mA
IC=10
μ
A, IE=0
IC=100
μ
A, RBE=
∞
IC=1mA, RBE=
∞
IE=10
μ
A, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
330
28
125
100
0.83
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Cob
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
190
150
1.2
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
100
100
50
6
30
420
25
Package Dimensions
unit : mm
2045B
Package Dimensions
unit : mm
2044B
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
4
5.0
0.85
0.7
0.6
1
5
7
0
1
7
0.5
1.2
2.3
0.5
1
2
3
2.3
2.3
VR
RB
VCC=25V
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
VBE= --5V
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
470
μ
F
100
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
5.0
4
2.3
0.5
1
5
0
7
1
2
0.85
0.5
1.2
0 to 0.2
2.3
2.3
0.6
1
2
3
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