參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5976
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 晶體硅npn型外延式
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SC5976
2SC5976
2004-07-01
3
V
BE (sat)
– I
C
0.001
10
10
100
1000
0.01
0.1
Ta
=
100°C
55°C
25°C
0.001
0.1
10
10
1
0.01
0.1
Ta
=
55°C
100°C
25°C
0.001
0.01
10
1
0.1
0.01
0.1
Ta
=
100°C
55°C
25°C
0
0
1.2
3.0
55°C
Ta
=
100°C
25°C
C
C
B
V
B
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
e
V
C
Collector current I
C
(A)
Base
emitter saturation voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
0
0
0.8
2.0
2.4
1.0
2.5
3.0
Common emitter
Ta
=
25°C
Single nonrepetitive pulse
4
IB
=
2 mA
20
10
6
2.0
1.6
0.4
2.5
1.5
0.8
0.2
0.4
Common emitter
V
CE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
β
=
30
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
β
=
30
Single nonrepetitive pulse
Common emitter
V
CE
=
2 V
Single nonrepetitive pulse
15
8
1
1
1
Ambient temperature Ta (°C)
P
c
– Ta
C
C
0.2
0.8
0
160
20
80
100
0
40
120
60
140
0.4
0.6
DC Operation Ta = 25°C
Mounted on an FR4 board glass epoxy,
1.6 mm thick, Cu area: 645 mm
2
)
1.5
0.5
1.2
2.0
0.5
1.0
0.6
1.0
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