參數資料
型號： 2SC5976
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
中文描述： 晶體硅npn型外延式
文件頁數： 1/5頁
文件大?。?/td> 181K
代理商： 2SC5976
2SC5976
2004-07-01
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
2SC5976
High-Speed Switching Applications
DC-DC Converter Applications
Strobe Flash Applications
High DC current gain: h
FE
= 250 to 400 (I
C
= 0.3 A)
Low collector-emitter saturation voltage: V
CE (sat)
= 0.14 V (max)
High-speed switching: t
f
= 25 ns (typ.)
Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEX
50
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
30
V
Emitter-base voltage
V
EBO
6
V
DC
I
C
3.0
Collector current
Pulse
I
CP
5.0
A
Base current
I
B
0.3
A
Collector power dissipation (t=10s)
1.00
Total collector power dissipation (DC)
P
C
(Note.1)
0.625
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to 150
°C
Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm
2
)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2
－
3S1A
0
2
1.+0.2
1
2.+0.2
2.8-0.3
0
0
0
3
2
1
0
0
1.Base
2.Emitter
3.Collector
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