參數(shù)資料
型號： 2SC5975
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR
中文描述： 硅外延npn型高頻低噪聲放大器/振蕩器
文件頁數(shù)： 4/18頁
文件大?。?/td> 248K
代理商： 2SC5975
2SC5975
Rev.1.00, Jul.06.2004, page 4 of 17
Noise Figure vs. Collector Current
0
1
2
3
4
5
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
N
f = 1.8 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
3 V
Power Gain vs. Collector Current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
P
f = 1.8 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
3V
S
21
Parameter vs. Collector Current
0
5
10
15
20
25
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
S
2
2
|
2
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
25
f = 2 GHz
0
5
10
15
20
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
G
T
MSG
MAG vs. Collector Current
0
5
10
15
20
25
30
1
10
100
Collector Current I
C
(mA)
M
Typical Transfer Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Emitter to Base Voltage V
EB
(V)
C
C
V
CE
= 2 V
V
CE
= 1 V
2 V
3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
2 V
3 V
MSG
MAG
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PDF描述
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參數(shù)描述
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