參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC3357
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN 硅外延晶體管)
中文描述： NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SC3357
3
2SC3357
10
20
50
100
200
1
5
10
50
0.5
I
C
-Collector Current-mA
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
h
F
-
V
CE
= 10 V
0
0.5
5
10
15
1
5
10
50 70
I
C
-Collector Current-mA
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
|
2
|
2
-
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GHz
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
0
0.5
10
10
5.0
30
I
C
-Collector Current-mA
GAIN BANDWIDTH PROUDCT vs.
COLLECTOR CURRENT
f
T
-
V
CE
= 10 V
0
10
20
0.1
0.2
0.4
0.6 0.81.0
f-Frequency-GHz
INSERTION GAIN, MAXIMUM GAIN
vs. FREQUENCY
G
m
-
|
2
|
2
-
V
CE
= 10 V
I
C
= 20 mA
G
max
|S
21e
|
2
INTERMODULATION DISTORTION vs.
COLLECTOR CURRENT
I
2
,
3
IM
3
IM
2
30
40
50
60
70
80
20
30
I
C
-Collector Current-mA
40
60
50
70
V
CE
= 10 V
V
0
= 100 dB V/50
R
g
= R
e
= 50
at
IM
2
IM
3
f = 90 + 100 MHz
f = 2
×
200
190 MHz
0
0.5
2
5
4
3
7
6
1
5
10
50 70
I
C
-Collector Current-mA
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
N
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GHz
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PDF描述
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