參數(shù)資料
型號： 2SC3357
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN 硅外延晶體管)
中文描述： NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管）
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： 2SC3357
SILICON TRANSISTOR
2SC3357
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DATA SHEET
Document No. P10357EJ4V1DS00 (4th edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
1985
DESCRIPTION
The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for
low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteristic.
FEATURES
Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., G
a
= 8.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., G
a
= 9.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
Large P
T
in Small Package
P
T
: 2 W with 16 cm
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Thermal Resistance
Junction Temperature
Storage Temperature
* mounted on 16 cm
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
*
R
th(j-a)
*
T
j
T
stg
20
12
3.0
100
1.2
62.5
150
V
V
V
mA
W
°
C/W
°
C
°
C
65 to +150
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
Term, Connection
E
C
B
(SOT-89)
: Emitter
: Collector (Fin)
: Base
0.41
0.03
+0.05
0.47
±0.06
0.42±0.06
4.5±0.1
1.6±0.2
3.0
E
B
C
1.5
0
2
4
1.5±0.1
0.42
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PDF描述
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