參數(shù)資料
型號： 2SC3357
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN 硅外延晶體管)
中文描述： NPN硅外延晶體管（npn型硅外延晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 77K
代理商： 2SC3357
2
2SC3357
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Collector Cutoff Current
I
CBO
1.0
μ
A
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
Emitter Cutoff Current
I
EBO
1.0
μ
A
V
EB
= 1.0 V, I
C
= 0
DC Current Gain
h
FE
*
50
120
300
V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA
Gain Bandwidth Product
f
T
6.5
GHz
V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA
Feed-Back Capacitance
C
re
**
0.65
1.0
pF
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
Insertion Power Gain
S
21
e
2
9
dB
V
CE
= 10 V, I
C
= 20 mA, f = 1.0 GHz
Noise Figure
NF
1.1
dB
V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
Noise Figure
NF
1.8
3.0
dB
V
CE
= 10 V, I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
*
** The emitter terminal and the case shall be connected to the guard terminal of the three-terminal capacitnace bridge.
h
FE
Classification
Pulse Measurement PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2 %
Class
RH
RF
RE
Marking
RH
RF
RE
h
FE
50 to 100
80 to 160
125 to 250
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
2.0
1.0
0
50
100
150
T
A
-Ambient Temperature-
°
C
P
T
-
0.3
0.5
1
2
0
0.5
1
2
5
10
20
30
V
CB
-Collector to Base Voltage-V
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
r
-
f = 1.0 MHz
Free Air
R
th(j-a)
312.5 C/W
Ceramic Substrate
16 cm
2
×
0.7 mm
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PDF描述
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