參數(shù)資料
型號： 2N7000
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.2A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流0.2A的N溝道增強型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 6/6頁
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代理商： 2N7000
2N7000/7002, VQ1000J/P, BS170
6
Siliconix
S-52429—Rev. E, 28-Apr-97
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted)
Threshold Voltage
T
J
– Temperature ( C)
–0.75
–0.50
–0.25
–0.00
0.25
0.50
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
V
V
G
10 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
1
0.01
0.1
0.01
0.1
1
100
10
1 K
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (TO-226AA, BS170 Only)
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 156 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.115A的N溝道增強型MOSFET晶體管)
2N7002DW-7-F DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002E-7-F N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002K N-Ch; 60V (DS) MOSFET; add ESD protect function
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N-7000 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2N7000 AMO 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000,126 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92
2N7000/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts
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