型號: | 2N7000 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.2A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
中文描述: | N溝道增強型MOSFET晶體管(最小漏源擊穿電壓60V的,夾斷電流0.2A的N溝道增強型MOSFET的晶體管) |
文件頁數(shù): | 4/6頁 |
文件大小: | 86K |
代理商: | 2N7000 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N7002 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.115A的N溝道增強型MOSFET晶體管) |
2N7002DW-7-F | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
2N7002E-7-F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
2N7002K-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
2N7002K | N-Ch; 60V (DS) MOSFET; add ESD protect function |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N-7000 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2N7000 AMO | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2N7000,126 | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2N7000 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92 |
2N7000/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts |