參數(shù)資料
型號： 2N6507
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 25 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 50K
代理商： 2N6507
2N6504 Series
http://onsemi.com
3
+ Current
+ Voltage
V
TM
I
DRM
at V
DRM
I
H
Symbol
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
Parameter
Peak Repetitive Off State Forward Voltage
Peak Forward Blocking Current
Peak Repetitive Off State Reverse Voltage
Peak Reverse Blocking Current
Peak On State Voltage
Holding Current
Voltage Current Characteristic of SCR
Anode +
on state
Reverse Blocking Region
(off state)
Reverse Avalanche Region
Anode –
Forward Blocking Region
(off state)
I
RRM
at V
RRM
C
T
°
dc
180
°
16
12
0
80
90
10
0
110
13
0
60
°
α
= 30
°
0
4.0
I
T(AV)
, ONSTATE FORWARD CURRENT (AMPS)
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
90
°
P
(
180
°
90
°
24
0
8.0
16
32
T
J
= 125
°
C
dc
60
°
α
= 30
°
I
T(AV)
, AVERAGE ONSTATE FORWARD CURRENT (AMPS)
16
0
4.0
8.0
12
20
α
= CONDUCTION ANGLE
α
Figure 1. Average Current Derating
Figure 2. Maximum On–State Power Dissipation
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PDF描述
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2N6507TG 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6508 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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