參數(shù)資料
型號： 2N6507
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 晶閘管
英文描述： Silicon Controlled Rectifiers
中文描述： 25 A, 400 V, SCR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-07, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2N6507
2N6504 Series
http://onsemi.com
2
*THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
T
L
1.5
°
C/W
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8
″
from Case for 10 Seconds
260
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
*Peak Repetitive Forward or Reverse Blocking Current
(V
AK
= Rated V
DRM
or V
RRM
, Gate Open)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
DRM
, I
RRM
–
–
–
–
10
2.0
μ
A
mA
ON CHARACTERISTICS
*Forward On–State Voltage (Note 2.)
(I
TM
= 50 A)
V
TM
–
–
1.8
Volts
*Gate Trigger Current (Continuous dc)
(V
AK
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms)
T
C
= 25
°
C
T
C
= –40
°
C
I
GT
–
–
9.0
–
30
75
mA
*Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(V
AK
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms, T
C
= –40
°
C)
V
GT
–
1.0
1.5
Volts
Gate Non-Trigger Voltage
(V
AK
= 12 Vdc, R
L
= 100 Ohms, T
J
= 125
°
C)
V
GD
0.2
–
–
Volts
*Holding Current
(V
AK
= 12 Vdc, Initiating Current = 200 mA,
Gate Open)
T
C
= 25
°
C
T
C
= –40
°
C
I
H
–
–
18
–
40
80
mA
*Turn-On Time
(I
TM
= 25 A, I
GT
= 50 mAdc)
t
gt
–
1.5
2.0
μ
s
Turn-Off Time (V
DRM
= rated voltage)
(I
TM
= 25 A, I
R
= 25 A)
(I
TM
= 25 A, I
R
= 25 A, T
J
= 125
°
C)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
t
q
–
–
15
35
–
–
μ
s
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
(Gate Open, Rated V
DRM
, Exponential Waveform)
*Indicates JEDEC Registered Data.
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%.
dv/dt
–
50
–
V/
μ
s
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PDF描述
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參數(shù)描述
2N6507G 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6507G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:CONNECTOR ((NW))
2N6507T 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6507TG 功能描述:SCR 400V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
2N6508 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流（Ih 最大值）:75 mA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
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