- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371465 > 2N5685 (ON SEMICONDUCTOR) High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補償型硅NPN功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5685 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補償型硅NPN功率晶體管) |
| 中文描述： | 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| 封裝： | CASE 197A-05, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2N5685 |
2N5684 2N5685 2N5686
http://onsemi.com
7
Notes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2N5686 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5686 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
| 2N5686G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5686JTX | 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: |
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