參數(shù)資料
型號： 2N5685
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
封裝： CASE 197A-05, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： 2N5685
2N5684 2N5685 2N5686
http://onsemi.com
2
Current–Gain — Bandwidth Product (I
C
= 5.0 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Note 1: Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(I
C
= 0.2 Adc, I
B
= 0)
Collector Cutoff Current
CE
B
(V
= 40 Vdc, I
= 0)
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
(V
CE
= 80 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
f
T
C
ob
2N5684, 2N5686
I
I
EBO
2.0
—
80
—
—
2000
—
1.0
MHz
pF
mAdc
2N5684, 2N5686
—
—
10
10
mAdc
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
2N5685
2N5685
2N5684, 2N5686
—
—
2.0
5.0
—
2.0
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
Collector Cutoff Current
2N5684, 2N5686
5.0
I
CBO
—
mAdc
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
(I
C
= 50 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 1)
h
FE
—
(I
= 50 Adc, I
= 10 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage (Note 1)
(I
C
= 25 Adc, I
B
= 2.5 Adc)
V
—
1.0
Vdc
Output Capacitance
2N5684
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N5686 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
2N5686G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686JTX 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述:
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