參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5685
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： High-Current Complementary Silicon Power Transistor(50A，300W，60V（集電極-發(fā)射極），大電流，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 50 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE
封裝： CASE 197A-05, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： 2N5685
2N5684 2N5685 2N5686
http://onsemi.com
3
Figure 2. Switching Time Test Circuit
1.0
0.7
0.5
0.5
Figure 3. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t
0.2
0.07
0.05
0.02
0.01
0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
50
T
J
= 25
°
C
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 30 V
0.03
0.3
30
0.1
20
2N5684 (PNP)
2N5685, 2N5686 (NPN)
t
r
t
d
+2.0 V
0
t
r
≤
20ns
-12V
10 to 100
μ
s
DUTY CYCLE
≈
2.0%
R
B
R
L
V
CC
-30 V
TO SCOPE
t
r
≤
20 ns
V
CC
-30 V
TO SCOPE
t
r
≤
20 ns
R
L
R
B
+10V
0
-12V
10 to 100
μ
s
DUTY CYCLE
≈
2.0%
t
r
≤
20ns
V
BB
+4.0 V
FOR CURVES OF FIGURES 3 & 6, R
B
& R
L
ARE VARIED.
INPUT LEVELS ARE APPROXIMATELY AS SHOWN.
FOR NPN CIRCUITS, REVERSE ALL POLARITIES.
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PDF描述
2N5744 TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-66
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參數(shù)描述
2N5685_1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTOR
2N5686 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR
2N5686G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50A 80V 300W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5686JTX 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述:
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