參數(shù)資料
型號： 29LV400C-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[為512k × 8 / 256K × 16] CMOS單電壓3V時僅閃存
文件頁數(shù)： 32/68頁
文件大?。?/td> 906K
代理商： 29LV400C-90
32
P/N:PM1155
MX29LV400C T/B
REV. 1.5, APR. 24, 2006
Figure 10. AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
Sector indicated by A12 to A17 are erased. External
erase verify is not required because data are verified
automatically by internal control circuit. Erasure comple-
tion can be verified by Data# Polling and toggle bit check-
ing after automatic erase starts. Device outputs 0 dur-
ing erasure and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle
bit; see toggle bit, Data# Polling, timing waveform)
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
tWC
Address
OE#
CE#
55h
2AAh
Sector
Address 1
Sector
Address 0
30h
ProIn
VA
VA
30h
NOTES:
SA=sector address(for Sector Erase), VA=Valid Address for reading status data(see "Write Operation Status").
Sector
Address n
tAS
tAH
tBAL
tGHWL
tCH
tWP
tDS tDH
tWHWH2
Read Status Data
Erase Command Sequence(last two cycle)
tBUSY
tRB
tCS
tWPH
tVCS
WE#
Data
RY/BY#
VCC
30h
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PDF描述
29LV650 64M (4M x 16) BIT
29LV800BB-70 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BB-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BT-70 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BT-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
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29LV640 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:flash memory
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