參數(shù)資料
型號(hào)： 29LV400C-90
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 4M-BIT [512K x 8 / 256K x 16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 4分位[為512k × 8 / 256K × 16] CMOS單電壓3V時(shí)僅閃存
文件頁(yè)數(shù)： 30/68頁(yè)
文件大小： 906K
代理商： 29LV400C-90
30
P/N:PM1155
MX29LV400C T/B
REV. 1.5, APR. 24, 2006
All data in chip are erased. External erase verification is
not required because data is verified automatically by
internal control circuit. Erasure completion can be veri-
fied by Data# Polling and toggle bit checking after auto-
Figure 8. AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
tWC
Address
OE#
CE#
55h
2AAh
555h
10h
ProIn
VA
VA
NOTES:
SA=sector address(for Sector Erase), VA=Valid Address for reading status data(see "Write Operation Status").
tAS
tAH
tGHWL
tCH
tWP
tDS
tDH
tWHWH2
Read Status Data
Erase Command Sequence(last two cycle)
tBUSY
tRB
tCS
tWPH
tVCS
WE#
Data
RY/BY#
VCC
matic erase starts. Device outputs 0 during erasure and
1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle bit; see toggle bit,
Data# Polling, timing waveform)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
29LV650 64M (4M x 16) BIT
29LV800BB-70 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BB-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BT-70 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
29LV800BT-90 8M-BIT [1Mx8/512K x16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
29LV51215JU 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
29LV512-15JU 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
29LV640 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:flash memory
29LV640DL90RZI 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
29LV640MU90RPCI 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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