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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F400BV-TB |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 4兆位（256 × 16，為512k × 8）SmartVoltage啟動(dòng)塊閃存系列 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | 28F400BV-TB |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
36
PRELIMINARY
Table 13. DC Characteristics: V
CCQ
= 1.8V
–2.2V
(Continued)
Sym
Parameter
Notes
V
CC1
:
2.7V–2.85V
V
CC2
:
2.7V–3.3V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
CCW
V
CC
Program Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program in Progress
8
20
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Program in Progress
I
CCE
V
CC
Erase Current
1,4,7
8
20
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase in Progress
8
20
mA
V
= V
(12V)
Erase in Progress
I
CCES
V
CC
Erase Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
IH
Erase Suspend in Progress
I
CCWS
V
Program Suspend
Current
1,2,4,7
20
50
μA
CE# = V
Program Suspend in Progress
I
PPD
V
PP
Deep Power-Down
Current
1
0.2
5
μA
RP# = GND ± 0.2V
I
PPR
V
PP
Read and Standby
Current
V
PP
Program Current
1
2
±50
μA
V
PP
≤
V
CC
I
PPW
1,4
15
40
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Program in Progress
10
25
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Program in Progress
I
PPE
V
PP
Erase Current
1,4
13
25
mA
V
PP
= V
PPH1
or V
PPH2
Erase in Progress
8
25
mA
V
PP
= V
PPH3
(12V)
Erase in Progress
I
PPES
V
PP
Erase Suspend
Current
1
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
, V
PPH2
, or V
PPH3
Erase Suspend in Progress
I
PPWS
V
Program Suspend
Current
1
50
200
μA
V
PP
= V
PPH1
, V
PPH2
, or V
PPH3
Program Suspend in Progress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F400BX-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 28F400BX-TB | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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