- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F200BX-B (Intel Corp.) 5V or Adjustable, Low-Voltage, Step-Up DC-DC Controller PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F200BX-B |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5V or Adjustable, Low-Voltage, Step-Up DC-DC Controller |
| 中文描述： | 28F200BX - B組- 2兆位（128K的× 16。256K × 8）啟動塊閃存系列 |
| 文件頁數(shù)： | 53/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 636K |
| 代理商： | 28F200BX-B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當(dāng)前第53頁第54頁第55頁
E
4.15
T
A
=
–40 °C to +85 °C
2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FAMILY
53
SEE NEW DESIGN RECOMMENDATIONS
Erase and Program Timings
—Extended Temperature
V
PP
5 V ± 10%
12 V ± 5%
V
CC
3.3 ± 0.3 V
5 V ± 10%
3.3 ± 0.3 V
5 V ± 10%
Parameter
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
Typ
Max
Unit
Boot/Parameter Block Erase Time
0.84
7
0.8
7
0.44
7
0.34
7
s
Main Block Erase Time
2.4
14
1.9
14
1.3
14
1.1
14
s
Main Block Program Time (Byte)
1.7
1.4
1.6
1.2
s
Main Block Program Time (Word)
1.1
0.9
0.8
0.6
s
Byte Program Time
10
10
8
8
μs
Word Program Time
13
13
8
8
μs
NOTES:
1.
2.
All numbers are sampled, not 100% tested.
Max erase times are specified under worst case conditions. The max erase times are tested at the same value
independent of V
CC
and V
PP
. See Note 3 for typical conditions.
Typical conditions are +25
°C with V
and V
at the center of the specified voltage range. Production programming using
V
CC
= 5.0 V, V
PP
= 12.0 V typically results in a 60% reduction in programming time.
Contact your Intel representative for information regarding maximum byte/word program specifications.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F200BX-T | Evaluation Kit for the MAX608 |
| 28F200BL-TB | 2-MBIT (128K x 16, 256K x 8)LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F3204W30 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F320W30 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F6408W30 | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F200BX-T | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F200BX-T - 2-MBIT (128K x 16. 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F200BX-T/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F200BX-TB | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:2-MBIT (128K x 16, 256K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F200BX-TL/BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 28F200CV-B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。