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參數(shù)資料
| 型號： | 28F160S5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V FlashFile Memory(5 V FlashFile 存儲器) |
| 中文描述： | 5伏FlashFile內(nèi)存（5伏FlashFile存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 49/51頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | 28F160S5 |
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E
6.7
28F160S5/28F320S5
49
PRELIMINARY
Erase, Write, and Lock-Bit Configuration Performance
(3, 4)
5
V ± 5%, 5 V ± 10% VCC
Version
5 V V
PP
#
Sym
Parameter
Notes Typ
(1)
Max
(6)
Units
W16
Byte/word program time (using write buffer)
5
2
TBD
μs
W16
t
WHQV1
t
EHQV1
Per byte program time (without write buffer)
2
9.24
90.0
μs
W16
t
WHQV1
t
EHQV1
Per word program time (without write buffer)
2
9.24
90.0
μs
W16
Block program time (byte mode)
2
0.5
1.0
sec
W16
Block program time (word mode)
2
0.38
0.5
sec
W16
Block program time (using write buffer)
2
0.13
TBD
sec
W16
t
WHQV2
t
EHQV2
Block erase time
2
0.34
3.5
sec
W16
Full chip erase time
16 Mbit
10.7
112
sec
32 Mbit
21.4
224
sec
W16
t
WHQV3
t
EHQV3
Set Lock-Bit time
2
9.24
90.0
μs
W16
t
WHQV4
t
EHQV4
Clear block lock-bits time
2
0.34
3.5
sec
W16
t
WHRH1
t
EHRH1
Program suspend latency time to read
5.6
7
μs
W16
t
WHRH2
t
EHRH2
Erase suspend latency time to read
9.4
13.1
μs
NOTES:
1.
Typical values measured at T
= +25 °C and nominal voltages. Assumes corresponding lock-bits are not set. Subject to
change based on device characterization.
Excludes system-level overhead.
These performance numbers are valid for all speed versions.
Sampled but not 100% tested.
Uses whole buffer.
Maximum values represent less than 1% of units exposed to greater than 100K cycles
2.
3.
4.
5.
6.
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PDF描述 |
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