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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F160S5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V FlashFile Memory(5 V FlashFile 存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 5伏FlashFile內(nèi)存（5伏FlashFile存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 320K |
| 代理商： | 28F160S5 |
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28F160S5/28F320S5
E
40
PRELIMINARY
6.3
T
A
= +25 °C, f = 1 MHz
Capacitance
(1)
Symbol
Parameter
Typ
Max
Unit
Condition
C
IN
Input Capacitance
6
8
pF
V
IN
= 0.0 V
C
OUT
Output Capacitance
8
12
pF
V
OUT
= 0.0 V
NOTE:
1.
Sampled, not 100% tested.
6.4
DC Characteristics
T
A
=
–40
o
C to +85
o
C (Extended) and T
A
= 0 °C to +70 °C (Commercial)
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Unit
Conditions
I
LI
Input Load Current
1
±
1
μ
A
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
±
10
μ
A
V
CC
= V
CC
Max
V
out
= V
CC
or GND
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,3,6
25
100
μ
A
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max
CE
X
# = RP# = V
CC
± 0.2 V
2
4
mA
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max
CE
X
# = RP# = V
IH
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down Current
16-Mb Commercial
Temperature
1
15
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
16-Mb Extended
Temperature
1
20
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
32-Mb Commercial
Temperature
1
20
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
32-Mb Extended
Temperature
1
TBD
μ
A
RP# = GND ± 0.2 V
I
OUT
(RY/BY#) = 0 mA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,6
50
mA
CMOS Inputs
V
CC
= V
CC
Max
CE
X
# = GND
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
65
mA
TTL Inputs
V
CC
= V
CC
Max
CE
X
# = V
IL
f = 8 MHz, I
OUT
= 0 mA
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