參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016SV
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
中文描述： 16兆位（1兆比特× 16，2兆比特× 8）FlashFile記憶
文件頁數(shù)： 8/48頁
文件大小： 304K
代理商： 28F016SV
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
8
PRELIMINARY
A
14
A
15
A
16
A
17
V
CCQ
A
12
A
10
A
13
NC
A
11
A
8
WE#
A
9
D
5
D
6
V
PP
RP#
NC
NC
WP#
A
19
A
21
D
2
D
3
A
20
A
18
A
6
NC
NC
A
7
A
5
A
3
CE#
D
0
A
4
A
2
A
1
A
0
GND
GND
D
7
NC
D
4
V
CC
NC
D
1
OE#
A
B
C
D
E
F
1
3
2
5
4
7
6
8
16M
32M
8M
0580_04
NOTE:
1.
Shaded connections indicate the upgrade address connections. Lower density devices will not have the upper address
solder balls. Routing is not recommended in this area. A
20
is the upgrade address for the 16-Mbit device. A
21
is the
upgrade address for the 32-Mbit device.
4-Mbit density not available in
μ
BGA* CSP.
Figure 3. x8 48-Ball
μ
BGA* Chip Size Package (Top View, Ball Down)
2.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016SA 16-Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) FlashFile Memory(16-M位(1 M位 x 16, 2 M位 x 8) FlashFile存儲(chǔ)器)
28F016XD 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XD 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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