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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016SV |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY |
| 中文描述： | 16兆位（1兆比特× 16，2兆比特× 8）FlashFile記憶 |
| 文件頁數(shù)： | 38/48頁 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | 28F016SV |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
E
38
PRELIMINARY
APPENDIX B
ACCESS TIME VS. CAPACITIVE LOAD
(t
AVQV
vs. C
L
)
Access Time vs. Load Capacitance
75
79
83
87
91
95
99
30
40
50
60
70
80
90
100
Load Capacitance (pF)
A
VCCQ = 2.7V
VCCQ = 3.0V
This chart shows a derating curve for device access time with respect to capacitive load. The value in the
DC Characteristics section of the specification corresponds to C
L
= 50 pF.
NOTE:
Sampled, but not 100% tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016SA | 16-Mbit(1 Mbit x 16, 2 Mbit x 8) FlashFile Memory(16-M位(1 M位 x 16, 2 M位 x 8) FlashFile存儲器) |
| 28F016XD | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XD | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16) DRAM-INTERFACE FLASH MEMORY |
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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