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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 20MT120UF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | UltraFast NPT IGBT |
| 中文描述： | 超快速I(mǎi)GBT的不擴(kuò)散核武器條約 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 699K |
| 代理商： | 20MT120UF |
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8
20MT120UF
I27124 rev. D 02/03
www.irf.com
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 5.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
CE
= 5.0A; T
J
= 150°C
0
5
10
15
20
25
30
35
IF (A)
0
10
20
30
40
IR
RG = 5.0
RG =10
RG =30
RG =50
0
10
20
30
40
50
60
RG (
)
0
10
20
30
40
IR
0
200
400
600
800
1000
diF /dt (A/μs)
10
15
20
25
30
35
40
IR
0
200
400
600
800
1000
1200
diF /dt (A/μs)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
QR
5.0
30
10
50
30A
20A
10A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 20N03HL | HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount |
| 20N60A4 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTsnull |
| 20NAB06 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20NAB12 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20PMT03 | 10/100 Base TX Transformer Designed for general Chipsets |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 20MT120UFAPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 20A 16-Pin MTP |
| 20MT120UFP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:'Full Bridge' IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A |
| 20MT120UFPBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE FULL BRIDGE |
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