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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 20MT120UF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | UltraFast NPT IGBT |
| 中文描述： | 超快速IGBT的不擴(kuò)散核武器條約 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/13頁(yè) |
| 文件大小： | 699K |
| 代理商： | 20MT120UF |
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10
20MT120UF
I27124 rev. D 02/03
www.irf.com
Fig 23.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
Fig 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.161 0.000759
0.210 0.017991
0.147 0.06094
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.238 0.001017
0.312 0.033081
0.061 0.77744
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 20N03HL | HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount |
| 20N60A4 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTsnull |
| 20NAB06 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20NAB12 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20PMT03 | 10/100 Base TX Transformer Designed for general Chipsets |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 20MT120UFAPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 20A 16-Pin MTP |
| 20MT120UFP | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:'Full Bridge' IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A |
| 20MT120UFPBF | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE FULL BRIDGE |
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