參數(shù)資料
型號： 1N4150-TR
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： DIODE 0.15 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
中文描述： Diodes (General Purpose, Power, Switching) Vr/50V Io/150mA T/R
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： 1N4150-TR
www.vishay.com
2
Document Number 85522
Rev. 1.8, 20-Aug-10
1N4150
Vishay Semiconductors
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com
,
DiodesAsia@vishay.com
,
DiodesEurope@vishay.com
Electrical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Typical Characteristics
T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified
Package Dimensions
in mm (inches):
DO-35
Test condition
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V, T
j
= 150 °C
V
R
= 0, f = 1 MHz, V
HF
= 50 mV
I
F
= I
R
= (10 to 100) mA, i
R
= 0.1
x I
R
, R
L
= 100
Ω
Symbol
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
C
D
Min.
540
Typ.
Max.
620
Unit
mV
Forward voltage
660
740
mV
760
860
mV
820
920
mV
870
1000
mV
Reverse current
100
nA
100
μA
Diode capacitance
2.5
pF
Reverse recovery time
t
rr
4
ns
Figure 1. Reverse Current vs. Junction Temperature
0
40
8
0
120
160
200
0.01
0.1
1
10
100
I
v
e
u
r
μ
A
R
T
j
- J
u
nction Temperat
u
re (°C)
94 9100
Scattering Limit
V
R
= 50
V
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
0
0.4
0.
8
1.2
1.6
0.1
1
10
100
1000
I
w
a
u
r
F
V
F
- For
w
ard
V
oltage (
V
)
2.0
94 9162
Scattering Limit
T
j
= 25 °C
94 9366
26 (1.024) min.
3.9 (0.154) max.
26 (1.024) min.
0
Cathode identification
1
1
Re
v
. 6 - Date: 29. Jan
u
ary 2007
Doc
u
ment no.: 6.560-5004.02-4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4150W-V-GS08 Diode Small Signal Switching 50V 0.2A 2-Pin SOD-123 T/R
1N4150W-V-GS18 1N4150W-V Small Signal Fast Switching Diode
1N4151-TR DIODE 0.15 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-2, Signal Diode
1N4151TAP 1N4151 Small Signal Fast Switching Diodes
1N4151W-V-GS18 SWITCHING DIODE GENPURP SOD123-E3 - Tape and Reel
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4150TR_S00Z 功能描述:整流器 High Conductance Ultra Fast RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4150UR-1 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-213AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SWITING 50V 0.2A 2PIN DO-213AA - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-213AA
1N4150UR-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
1N4150UR-1JAN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
1N4150UR-1JANTXTR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-213AA T/R
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*