參數(shù)資料
型號(hào)： ZXMN6A25DN8TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3.6 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 241K
代理商： ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003
6
S E M IC O N D U C T O R S
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXMN6A25DN8 Line Filter; Current Rating:20A; Voltage Rating:250V; Mounting Type:Screw; Features:High Attenuation; Series:MXB
ZXMN6A25DN8TC Line Filter; Current Rating:30A; Voltage Rating:250V; Features:High Attenuation; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Terminal Type:Screw; Series:MXB
ZXMN6A25DN8(1)
ZXMP3A13F 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A13FTA 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN6A25DN8TC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A25G 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V SOT223 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN6A25GTA 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A25K 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN6A25KTC 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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