參數(shù)資料
型號： ZXMN6A25DN8TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3.6 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003
4
S E M IC O N D U C T O R S
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
STATIC
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
60
V
I
D
=250 A, V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
I
D
=250 A, V
DS
= V
GS
V
GS
=10V, I
D
=3.6A
V
GS
=4.5V, I
D
=3A
V
DS
=15V,I
D
=4.5A
Zero Gate Voltage Drain Current
1.0
A
Gate-Body Leakage
100
nA
Gate-Source Threshold Voltage
1.0
V
Static Drain-Source On-State
Resistance
(1)
Forward Transconductance
(1) (3)
DYNAMIC
(3)
R
DS(on)
0.055
0.075
g
fs
10.2
S
Input Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
1063
pF
V
DS
=
30V
,
V
GS
=0V,
f=1MHz
Output Capacitance
104
pF
Reverse Transfer Capacitance
SWITCHING
(2) (3)
64
pF
Turn-On Delay Time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
3.8
ns
V
DD
=30V, I
D
=1A
R
G
6.0 , V
GS
=10V
Rise Time
4.0
ns
Turn-Off Delay Time
26.2
ns
Fall Time
10.6
ns
Gate Charge
Q
g
11.0
nC
V
DS
=30V,V
GS
=5V,
I
D
=4.5A
Total Gate Charge
Q
g
Q
gs
Q
gd
20.4
nC
V
DS
=30V,V
GS
=10V,
I
D
=4.5A
Gate-Source Charge
4.1
nC
Gate-Drain Charge
5.1
nC
SOURCE-DRAIN DIODE
Diode Forward Voltage
(1)
V
SD
0.85
0.95
V
T
J
=25°C, I
S
=5.5A,
V
GS
=0V
Reverse Recovery Time
(3)
Reverse Recovery Charge
(3)
t
rr
Q
rr
22.0
ns
T
=25°C, I
=2.2A,
di/dt= 100A/ s
21.4
nC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
NOTES
(1) Measured under pulsed conditions. Width
=
300 s. Duty cycle
2% .
(2) Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
(3) For design aid only, not subject to production testing.
相關PDF資料
PDF描述
ZXMN6A25DN8 Line Filter; Current Rating:20A; Voltage Rating:250V; Mounting Type:Screw; Features:High Attenuation; Series:MXB
ZXMN6A25DN8TC Line Filter; Current Rating:30A; Voltage Rating:250V; Features:High Attenuation; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Terminal Type:Screw; Series:MXB
ZXMN6A25DN8(1)
ZXMP3A13F 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A13FTA 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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ZXMN6A25KTC 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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