參數(shù)資料
型號： ZXMN6A25DN8TA
廠商： ZETEX PLC
元件分類： JFETs
英文描述： DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
中文描述： 3.6 A, 60 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003
S E M IC O N D U C T O R S
2
PARAMETER
Junction to Ambient
(a) (d)
Junction to Ambient
(a) (e)
Junction to Ambient
(b) (d)
SYMBOL
VALUE
UNIT
R
JA
100
°C/W
R
JA
70
°C/W
R
JA
60
°C/W
THERMAL RESISTANCE
NOTES
(a) For a device surface mounted on 25mm x 25mm FR4 PCB with high coverage of single sided 1oz copper, in still air conditions.
(b) For a device surface mounted on FR4 PCB measured at t
10 sec.
(c) Repetitive rating 25mm x 25mm FR4 PCB, D=0.02, pulse width=300 s - pulse width limited by maximum junction temperature.
(d) For a dual device with one active die.
(e) For a device with two active die running at equal power.
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DSS
V
GS
60
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @V
GS
=10V; T
A
=25°C
(b) (d)
20
V
@V
GS
=10V; T
A
=70°C
(b) (d)
@V
GS
=10V; T
A
=25°C
(a) (d)
I
D
4.7
3.7
3.6
A
A
A
Pulsed Drain Current
(c)
Continuous Source Current (Body Diode)
(b)
Pulsed Source Current (Body Diode)
(c)
Power Dissipation at T
A
=25°C
(a) (d)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T
A
=25°C
(a) (e)
Linear Derating Factor
Power Dissipation at T
A
=25°C
(b) (d)
Linear Derating Factor
I
DM
I
S
I
SM
22
A
3.5
A
22
A
P
D
1.25
10
W
mW/°C
P
D
1.8
14
W
mW/°C
P
D
2.1
17
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
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PDF描述
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ZXMN6A25DN8(1)
ZXMP3A13F 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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參數(shù)描述
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