參數(shù)資料
型號： ZXMN6A25DN8(1)
廠商： Zetex Semiconductor
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： ZXMN6A25DN8(1)
SUMMARY
V
(BR)DSS
= 60V: R
DS(ON)
= 0.055
; I
D
= 4.7A
DESCRIPTION
ThisnewgenerationofTrenchMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructure
thatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.This
makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management
applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low gate drive
Low profile SOIC package
APPLICATIONS
DC - DC Converters
Power Management Functions
Motor control
DEVICE MARKING
ZXMN
6A25D
ZXMN6A25DN8
PROVISIONAL ISSUE B - J UNE 2003
S E M IC O N D U C T O R S
1
DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DEV ICE
REEL
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TC
7
’‘
13’‘
ORDERING INFORMATION
SO8
Top view
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相關PDF資料
PDF描述
ZXMP3A13F 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A13FTA 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A13FTC 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A16DN8 DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMP3A16DN8TA DUAL P-CHANNEL 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ZXMN6A25DN8TA 功能描述:MOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A25DN8TC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:DUAL 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN6A25G 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V SOT223 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ZXMN6A25GTA 功能描述:MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
ZXMN6A25K 功能描述:MOSFET N-CHAN 60V DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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