參數(shù)資料
型號(hào): ZTX951
廠商: ZETEX PLC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
中文描述: 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商: ZTX951
ZTX951
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-850
-1000
mV
IC=-4A, V
CE
=-1V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
75
10
200
200
120
25
300
I
C
=-10mA, V
=-1V*
I
C
=-1A, V
CE
=-1V*
I
C
=-4A, V
CE
=-1V*
I
C
=-10A, V
CE
=-1V*
Transition Frequency
f
T
120
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
74
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
82
350
ns
ns
I
C
=-2A, I
=-200mA
I
B2
=200mA, V
CC
=-10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
R
th(j-amb)
R
th(j-case)
150
50
°C/W
°C/W
-40
2.0
1.0
0.0001
50
150
100
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
4.0
3.0
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
Casetempeaue
Ambient temperature
D.C.
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
0.001
0
3-316
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX953 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX955 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX956 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX957 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
ZTX958 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX951STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX951STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX951STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX953 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX953 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP E-LINE