參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX957
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： ZTX957
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
HIGH CURRENT TRANSISTOR
ISSUE 3 JUNE 94
FEATURES
*
1 Amp continuous current
*
Up to 2 Amps peak current
*
Very low saturation voltage
*
Excellent gain characteritics up to 1 Amp
*
Spice model available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-330
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-300
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-6
V
Peak Pulse Current
I
CM
-2
A
Continuous Collector Current
I
C
-1
A
Practical Power Dissipation*
P
totp
1.58
W
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
1.2
W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a
P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-330
-440
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter Breakdown
Voltag
V
(BR)CER
-330
-440
V
IC=-1
μ
A, RB
≤
1K
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-300
-400
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-6
-8
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-300V
V
CB
=-300V, T
amb
=100°C
Collector Cut-Off Current
I
CER
R
≤
1K
-50
-1
nA
μ
A
V
CB
=-300V
V
CB
=-300V, T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-10
nA
V
EB
=-6V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-60
-100
-140
-100
-150
-200
mV
mV
mV
I
C
=-100mA, I
B
=-10mA*
I
C
=-500mA, I
=-100mA*
I
C
=-1A, I
B
=-300mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-870
-1000
mV
I
C
=-1A, I
B
=-300mA*
E-Line
TO92 Compatible
3-327
C
ZTX957
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PDF描述
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