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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZTX949 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 4.5 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | ZTX949 |
ZTX949
-40
2.0
1.0
0.0001
50
150
100
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
4.0
3.0
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
Casetempeaue
Ambient temperature
D.C.
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
0.001
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-860
-1000
mV
IC=-5A, V
CE
=-1V*
Static Forward
Current Transfer Ratio
h
FE
100
100
75
200
200
140
35
300
I
C
=-10mA, V
=-1V
I
C
=-1A, V
CE
=-1V*
I
C
=-5A, V
CE
=-1V*
I
C
=-20A, V
CE
=-1V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
122
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
120
130
ns
ns
I
C
=-4A, I
=-400mA
I
B2
=400mA, V
CC
=-10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
R
th(j-amb)
R
th(j-case)
150
50
°C/W
°C/W
3-313
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX951 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX953 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX955 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX956 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX957 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX949STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX949STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX949STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX951 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZTX951STOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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