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參數(shù)資料
| 型號： | ZTX857 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 3 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | ZTX857 |
ZTX857
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
810
950
mV
IC=2A, V
CE
=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
15
200
200
25
15
300
I
C
=10mA, V
CE
=5V
I
C
=500mA, V
=10V*
I
C
=2A, V
CE
=10V*
I
C
=3A, V
CE
=10V*
Transition Frequency
f
T
80
MHz
I
=100mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
11
pF
V
CB
=20V, f=1MHz
Switching Times
t
on
t
off
100
5300
ns
ns
I
C
=250mA, I
B1
=25mA
I
B2
=25mA, V
CC
=50V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
Junction to Case
R
th(j-amb)
R
th(j-case)
150
50
°C/W
°C/W
-40
2.0
1.0
0.0001
50
150
100
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
4.0
3.0
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
Casetempeaue
Ambient temperature
D.C.
D=0.6
D=0.2
D=0.1
D=0.05
Single Pulse
0.001
0
3-304
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX869 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX948 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX949 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX951 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
| ZTX953 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| ZTX857STOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Big Chip SELine RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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