參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX753DCSM
廠商： SEMELAB LTD
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
中文描述： 2000 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： ZTX753DCSM
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 2 JULY 94
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
2 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX752
ZTX753
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-100
-120
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-80
-100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-6
A
Continuous Collector Current
I
C
-2
A
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
ZTX752
MIN.
TYP. MAX. MIN.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX753
TYP. MAX.
UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-100
-120
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-80
-100
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-80V
V
CB
=-100V
V
CB
=-80V,
T
amb
=100°C
V
CB
=-100V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.17
-0.30
-0.3
-0.5
-0.17
-0.30
-0.3
-0.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
-1.25
-0.9
-1.25 V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1
-0.8
-1
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
ZTX752
ZTX753
3-260
C
E-Line
TO92 Compatible
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZTX756 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ZTX757 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
ZTX758 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ZTX776 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
ZTX788A PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZTX753M1 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO
ZTX753STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX753STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX753STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super E-Line RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX754 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*