參數(shù)資料
型號(hào)： ZTX753DCSM
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
中文描述： 2000 mA, 100 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： ZTX753DCSM
PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 2 JULY 94
FEATURES
*
100 Volt V
CEO
*
2 Amp continuous current
*
Low saturation voltage
*
P
tot
=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX752
ZTX753
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
-100
-120
V
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
-80
-100
V
Emitter-Base Voltage
V
EBO
-5
V
Peak Pulse Current
I
CM
-6
A
Continuous Collector Current
I
C
-2
A
Power Dissipation
at T
=25°C
derate above 25°C
P
tot
1
5.7
W
mW/°C
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
ZTX752
MIN.
TYP. MAX. MIN.
PARAMETER
SYMBOL
ZTX753
TYP. MAX.
UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-100
-120
V
I
C
=-100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-80
-100
V
I
C
=-10mA*
Emitter-Base
Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
-5
V
I
E
=-100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-0.1
-10
-0.1
-10
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
=-80V
V
CB
=-100V
V
CB
=-80V,
T
amb
=100°C
V
CB
=-100V,
T
amb
=100°C
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-0.1
-0.1
μ
A
V
EB
=-4V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.17
-0.30
-0.3
-0.5
-0.17
-0.30
-0.3
-0.5
V
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-0.9
-1.25
-0.9
-1.25 V
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-0.8
-1
-0.8
-1
V
IC=-1A, V
CE
=-2V*
ZTX752
ZTX753
3-260
C
E-Line
TO92 Compatible
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PDF描述
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ZTX757 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH VOLTAGE TRANSISTORS
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