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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZTX649 |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 2000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | ZTX649 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Output Capacitance
C
obo
25
50
pF
V
CB
=10V f=1MHz
Switching Times
t
on
55
ns
I
C
=500mA, V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=50mA
t
off
300
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MAX.
UNIT
Thermal Resistance:Junction to Ambient
1
Junction to Ambient
2
Junction to Case
R
th(j-amb)1
R
th(j-amb)2
R
th(j-case)
175
116
70
°C/W
°C/W
°C/W
Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1 sq. Inch minimum.
ZTX649
-40
0.0001
Derating curve
T
-Temperature
(°C)
M
-
Maximum transient thermal impedance
Pulse Width (seconds)
T
10
100
1
0.1
0.01
-20
0
20
40
60 80 100 120
200
180
160
140
0.001
0
100
200
D=0.2
D=0.1
Single Pulse
D=0.5
t
1
t
P
D=t
1
/t
P
1.0
0.5
2.0
1.5
Casetempeaue
2.5
Ambient temperature
0
D=1 (D.C.)
3-217
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX651 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX650 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| ZTX652 | NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS) |
| ZTX653 | NPN SILICON PLANAR(MEDIUM POWER TRANSISTORS) |
| ZTX653DCSM | NPN DUAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZTX649 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN E-LINE |
| ZTX649DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX649DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX649DC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX649M1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | SO |
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